买卖IC网 >> 产品目录 >> SIZ790DT-T1-GE3 MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIZ790DT-T1-GE3

库存数量：15960
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 16A / 35A Dual N-Ch MOSFET
SIZ790DT-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 12.9 A, 23.4 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 7.5 mOhms, 3.8 mOhms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAIR 6 mm x 3.7 mm
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIZ790DT-T1-GE3
SIZ900DT-T1-GE3
SIZ902DT-T1-GE3
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SIZ910DT-T1-GE3
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  • SIZ790DT-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 1.324 1.324
    25 1.104 27.6
    100 0.98 98
    250 0.924 231
    3,000 0.842 2526
    6,000 0 0